近期，密歇根大學(xué)宣布在Micro LED制造工藝上取得突破，這項新的工藝意味著你可以在硅上加入尺寸不到1微米的綠光LED，號稱可實現(xiàn)高性能和高穩(wěn)定性。據(jù)悉，這項研究的目的是提升超高分辨率彩色微顯示器的制造工藝，以開發(fā)出適合AR/VR眼鏡的Micro LED技術(shù)。
近期，密歇根大學(xué)宣布在Micro LED制造工藝上取得突破，這項新的工藝意味著你可以在硅上加入尺寸不到1微米的綠光LED，號稱可實現(xiàn)高性能和高穩(wěn)定性。據(jù)悉，這項研究的目的是提升超高分辨率彩色微顯示器的制造工藝，以開發(fā)出適合AR/VR眼鏡的Micro LED技術(shù)。
據(jù)了解，AR/VR眼鏡使用的Micro LED需要非常小巧、低功耗，且具有穩(wěn)定性和高效性。另外，Micro LED單個像素尺寸小于1微米，制造工藝相當(dāng)復(fù)雜，生產(chǎn)過程的缺陷率超過50%，而這將導(dǎo)致額外成本。而為了改善上述問題，科技行業(yè)已經(jīng)投入了大量資金。
目前已經(jīng)可以制造出高效、大面積的藍(lán)光和紅光LED，但制造出高效、大面積的綠光LED非常困難，將LED組件尺寸縮減到1微米也具有挑戰(zhàn)性。而為了解決這一問題，密歇根大學(xué)教授Zetian Mi和他的團(tuán)隊開發(fā)了一種亞微米級的III-氮化物綠光Micro LED，其特點是使用了直徑僅100到200納米，間距僅幾納米的納米線陣列。
科研人員表示：由于氮化物材料和硅襯底之間晶格參數(shù)不匹配，會引起絲狀位錯，納米線陣列的功能則是過濾這種絲狀位錯，在硅上可以制造穩(wěn)定的綠光Micro LED。此外，這種綠光LED制造工藝很容易轉(zhuǎn)化為藍(lán)色，無需轉(zhuǎn)移就可以將藍(lán)光Micro LED集成在硅片上。
來源：青亭網(wǎng)
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